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BARRETTE MÉMOIRE SILICON POWER SODIMM 8G DDR4 2666 MHZ SP008GBSFU266X02
400DhAjouter au panierCapacité : 8GB
Voltage : 1.2V
Format : SODIMM
Fréquence (vitesse) : 2666MHz
La vitesse réelle peut varier en fonction de la plate-forme ou de la configuration du système.
Temps de latence CAS : CL19(2666)
Certification : CE, FCC, Green dot, WEEE, RoHS -
DISQUE DUR SSD 256GB SILICON POWER A55 2.5″
500DhAjouter au panier– Design 7mm approprié pour Ultrabooks
– SATA III 6 Go S rétrocompatible avec SATA II 3 Go S
– Prend en charge la technologie de commande et Garbage Collection TRIM
– NCQ et RAID prêt
– Mis en œuvre avec la technologie de l’ECC pour garantir la fiabilité de transmission de données
– Intégré avec le système de surveillance SMART
– Faible consommation d’énergie, aux chocs et aux vibrations, pas de bruit et une faible latence
– Technology Cache SLC
– Technologie Auto-copie interne
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Module mémoire DDR4 SODIMM Silicon Power DDR4 3200MHz 8Go (SP008GBSFU320X02)
280DhAjouter au panierCapacité : 2133 / 2400 MHz : 4 Go ~ 16 Go
2666 MHz : 4 Go ~ 32 Go
3200 MHz : 8 Go ~ 32 GoVoltage : 1.2V
Facteur de forme : SODIMM
Fréquences : 2133MHz, 2400MHz, 2666MHz, 3200MHz
*La vitesse réelle peut varier en fonction de la plate-forme ou de la configuration du système.Latence CAS : CL15(2133), CL17(2400), CL19(2666), CL22(3200)
Certification : CE, FCC, Green dot, WEEE, RoHS
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SILICON POWER 16GB DDR4 3200MHZ PC MEMORY
750DhAjouter au panierSilicon Power SP016GBSFU320X02. composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 16 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 16 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 3200 MHz, Support de mémoire: 260-pin SO-DIMM, Latence CAS: 22
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SILICON POWER M.2 512 GB 2280 SATA A55
550DhAjouter au panierConçu avec un facteur de forme m.2 2280 (80 × 22 × 3,5 mm). Équipé de la dernière génération de puces 3D Nand et d’une synchronisation de haute qualité et d’une interface SATA III 6 Gb/s, l’ace a55 m.2 2280 offre d’excellentes vitesses de transfert allant jusqu’à 560/530 Mo/s en lecture/écriture et jusqu’à 80 000 lectures aléatoires 4k. /écrire iops. Donc, si vous avez besoin d’une solution de mise à niveau prête à l’emploi pour les applications informatiques quotidiennes ou les demandes multitâches, l’ace a 55 est la solution parfaite. Sa technologie intelligente de mise en cache SLC peut augmenter les performances d’écriture jusqu’à des pics encore plus élevés – pour des vitesses de transfert ultra-rapides !
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SILICON POWER M.2 512 GB PCIE NVME A60 2280
600DhAjouter au panierInterface PCIe Gen3x4 ( lecture jusqu’à 2200 Mo/s | écriture jusqu’à 1600 Mo/s)
*Les performances peuvent varier en fonction de la plate-forme, du système, des logiciels de l’hôte, de l’interface et de la capacité du SSD.
Disponible dans une gamme de capacités allant jusqu’à 2 To pour répondre aux exigences de votre stockage de données
Technologie de correction d’erreurs de type LDPC, système de protection des données E2E et moteur RAID pour une intégrité et une stabilité des données améliorées
Supporte les normes NVMe 1.3 et HMB et intègre un cache SLC pour fournir des performances élevées avec efficacité
Facteur de forme M.2 2280 (80 mm) pour une installation simple dans les ordinateurs portables ou les ordinateurs de bureau
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SILICON POWER SP004GBSFU266X02 MODULE DE MÉMOIRE 4 GO 1 X 4 GO DDR4 2666 MHZ
350DhAjouter au panierSilicon Power SP004GBSFU266X02. composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 4 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Support de mémoire: 260-pin SO-DIMM, Latence CAS: 19
